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theoretical specific capacity

mAh→Ah→A·s，即电量单位：库伦（C或A·s）。
示例1：Li4.4Si
1）计算Si的理论比容量：Li4.4Si； 1）取1mol Li4.4Si，也即1mol的Si可嵌入4.4mol的Li； 2）计算4.4molLi所带的电量： 4.4mol×（6.02×1023）mol-1×1.602×10-19C=424337.76C（A·s）； 单位转换：424337.76×1000÷3600=117871.6mAh 
3）理论比容量计算：117871.6mAh÷（1mol×28g/mol，1molSi的质量）=4209.7mAh/g。 
示例2： 石墨理论比容量的计算：LiC6；
 1）取1mol LiC6，也即6mol的C可嵌入1mol的Li；
 2）计算1molLi所带的电量： 1mol×（6.02×1023）mol-1×1.602×10-19C=96440.4C（A·s）； 单位转换：96440.4×1000÷3600=26789mAh 
3）理论比容量计算：26789mAh÷（6mol×12g/mol，6molC的质量）=372.07mAh/g。
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VASP+NEB

第一步：     初末态结构优化建立两个文件夹 ini, fin，在每个文件夹中放vasp计算必备的四个文件（INCAR，POSCAR，KPOINTS，POTCAR），其中的两个POSCAR对应未优化的初末态。确保两个文件夹里面除POSCAR外，其他文件完全一样。对于两个POSCAR，注意每一行的原子一一对应。若有固定位置的原子（比方做表面计算，要固定底部1-2层原子）。 第二步：   用dist.pl检查两个优化后结构(两个CONTCAR)的相似程度（每个对应原子的初末态距离的平方和，再开根号）。 dist.pl ini/CONTCAR fin/CONTCAR 第三步：      插点的数目取决于前面dist.pl的返回值，一般插点数目可取（dist.pl返回值/0.8）。 具体插点的命令： nebmake.pl ini/CONTCAR fin/CONTCAR N 最后的N表示插点数目。插入点的算法为线性插值，详情请进前面给的vtst脚本链接。我这里为简单插一个点，执行完命令后出现文件夹00--07。 可用命令nebavoid.pl 1,确保中间插入的点每一个原子间距都大于1A。该命令的参数1表示最小允许间距，可取小数。 System = NEB PREC = Accurate #ISYM =0 ENCUT = 650 EDIFF  = 1e-4 EDIFFG = -0.001 KSPACING= 0.5 ISIF   = 2 NSW    = 500 ISMEAR = 0; SIGMA = 0.05 LCHARG = FALSE LWAVE  = FALSE ISTART = 0 IV DW=10 #NPAR = 3 #NEB IBRION = 3 POTIM = 0 IOPT =   1 ICHAIN = 0 LCLIMB = .TRUE. SPRING =-5 IMAGES =6 第四步：     后处理：nebef.pl， nebbar...
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Partial Charge

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