fan_冬

静态计算，加入： IBRION = 5  ISIF = 2  NSW = 1  POTIM = 0.02  NFREE = 2  ISYM = 0 最后一列的eV前面的就是频率转换成能量的值，完成计算将OUTCAR中非虚频的能量相加除以2就是Zero Point Energy.

1: LAECHG =.TRUE. LCHARG =.TRUE. 生成AECCAR0   AECCAR1   AECCAR2 2： chgsum.pl  AECCAR0  AECCAR2生成CHARGCAR_sum 文件 3： bader CHGCAR -ref CHGCAR_sum (或者：bader  -b weight CHGCAR -ref CHGCAR_sum ) 生成 ACF.dat  AVF.dat   BCF.dat ####计算电荷布局分析时，需要比较密的FFT 网格，可以通过NG(X,Y,Z) F来调整，增大这些量，知道总的电荷数目正确。 http://theory.cm.utexas.edu/henkelman/code/bader/

某个能量范围、某个K点或者某个 特定的态所对应的电荷密度。在文献中最常见的是价带顶部，导带底部，表面态或者局域态所对应的Partial Charge。通过分析这些态所对应的Partial Charge，可以得到体系的一些性质，比如局域态具体的是局域 在哪个原子上等。我将通过具体的例子说明如何用VASP进行Partial Charge Analysis。 进行Partial Charge Analysis的第一步是进行自洽的计算，得到体系的电子结构。这一步的计算采用通常的 INCAR和KPOINTS文件。在自洽计算结束后，我们需要保存WAVECAR文件。（通过在INCAR文件中设置 LWAVE=TRUE实现. 第二步是画出能带结构，以决定你需要画哪条能带的那个K点的态所对应的Partial Charge。关于具体如何用VASP 画能带，请参见用VASP4.6计算晶体硅能带实例一文。我们得到硅纳米线的能带结构如下： 画能带时有些小技巧。你可以用一些支持列模块的编辑器，如UltraEdit，将OUTCAR里的各个K点所对应的本征值粘 贴到Origin中。这一步完成后，在Origin中做一个矩阵转置，然后将K点坐标贴到第一列，并将其设为X坐标。如此画 出来的基本上就是能带图了。在Origin中可以通过设置纵轴范围来更加清楚的区分费米能级附近的各条能带。 决定画哪条能带，或者那些感兴趣的K点之后，有如下几种方法计算不同的Partial Charge。如果你希望计算价带顶 端的Partial Charge，则需要首先通过能带结构图确定价带的能带标号。需要注意，进行Partial Charge分析必须要 保留有自洽计算的WAVECAR才可以。 第一种Partial Charge分析的INCAR ISTART = 1 job : 0-new 1-cont 2-samecut ICHARG = 1 charge: 1-file 2-atom 10-const LPARD=.TRUE. IBAND= 20 21 22 23 KPUSE= 1 2 3 4 LSEPB=.TRUE. LSEPK=.TRUE. 这样的INCAR给出的是指定能带，指定K点所对应的Partial Charge。分析导带、价带等的Partial Charge特性， 通常采用的都是这种模式。 第二种Partial...

mAh→Ah→A·s，即电量单位：库伦（C或A·s）。 示例1：Li4.4Si 1）计算Si的理论比容量：Li4.4Si； 1）取1mol Li4.4Si，也即1mol的Si可嵌入4.4mol的Li； 2）计算4.4molLi所带的电量： 4.4mol×（6.02×1023）mol-1×1.602×10-19C=424337.76C（A·s）； 单位转换：424337.76×1000÷3600=117871.6mAh  3）理论比容量计算：117871.6mAh÷（1mol×28g/mol，1molSi的质量）=4209.7mAh/g。  示例2： 石墨理论比容量的计算：LiC6；  1）取1mol LiC6，也即6mol的C可嵌入1mol的Li；  2）计算1molLi所带的电量： 1mol×（6.02×1023）mol-1×1.602×10-19C=96440.4C（A·s）； 单位转换：96440.4×1000÷3600=26789mAh  3）理论比容量计算：26789mAh÷（6mol×12g/mol，6molC的质量）=372.07mAh/g。

第一步：     初末态结构优化建立两个文件夹 ini, fin，在每个文件夹中放vasp计算必备的四个文件（INCAR，POSCAR，KPOINTS，POTCAR），其中的两个POSCAR对应未优化的初末态。确保两个文件夹里面除POSCAR外，其他文件完全一样。对于两个POSCAR，注意每一行的原子一一对应。若有固定位置的原子（比方做表面计算，要固定底部1-2层原子）。 第二步：   用dist.pl检查两个优化后结构(两个CONTCAR)的相似程度（每个对应原子的初末态距离的平方和，再开根号）。 dist.pl ini/CONTCAR fin/CONTCAR 第三步：      插点的数目取决于前面dist.pl的返回值，一般插点数目可取（dist.pl返回值/0.8）。 具体插点的命令： nebmake.pl ini/CONTCAR fin/CONTCAR N 最后的N表示插点数目。插入点的算法为线性插值，详情请进前面给的vtst脚本链接。我这里为简单插一个点，执行完命令后出现文件夹00--07。 可用命令nebavoid.pl 1,确保中间插入的点每一个原子间距都大于1A。该命令的参数1表示最小允许间距，可取小数。 System = NEB PREC = Accurate #ISYM =0 ENCUT = 650 EDIFF  = 1e-4 EDIFFG = -0.001 KSPACING= 0.5 ISIF   = 2 NSW    = 500 ISMEAR = 0; SIGMA = 0.05 LCHARG = FALSE LWAVE  = FALSE ISTART = 0 IV DW=10 #NPAR = 3 #NEB IBRION = 3 POTIM = 0 IOPT =   1 ICHAIN = 0 LCLIMB = .TRUE. SPRING =-5 IMAGES =6 第四步：     后处理：nebef.pl， nebbar...